199IT原创编译
国际半导体技术发展路线图（International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）2015年版最近正式发布，报告显示半导体2.0时代即将来临。
过去50年半导体行业一直按照摩尔定律的速度发展着。晶体管的体积越来越小，对制造商来说也越来越廉价。因此，集成设备制造商完全控制着电子行业发展步伐。
互联网的出现，WIFI覆盖越来越广，消费者开始接受各种无线移动设备，以及IC设计商和代工厂的成功合作已经完全改变了电子行业。现在，系统集成商也能设计并制造自己需要的集成电路，如SOC或SIP，而不用再依赖集成设备制造商。系统集成商通过制造SOC或SIP能够提高效率、降低成本，因此系统集成制造商为电子行业不断带来革新。
尽管按照摩尔定律半导体晶体管不断增加数量，但是，随着网络的发展和信息需求的增长，目前的晶体管数量已经不能满足数据中心的需要，半导体行业正在迎接一个新时代的到来。
由于缩小面积、容纳更多晶体管的做法越来越不划算，而且，到2021年半导体的体积将达到极限，届时半导体制造商会将注意力转向3D芯片等其他新技术。但是，这并不意味着“摩尔定律”将失效，通过使用3D堆叠等新的技术，短期内芯片的晶体管密度将继续提高。以往首先改善硬件，软件随后跟上的趋势也将发生改变，未来半导体行业的发展将会呈现软件为先导，软件和硬件相结合的趋势：按照移动设备、物联网和数据中心等对软件的需求设计并制造硬件。
报告指出，半导体行业面临着短期（2015 年-2022年）和长期（2023年-2030年）挑战：
短期
- 1. 硅基CMOS尺寸缩小
- 2. 高迁移率沟道材料的实现
- 3. DRAM 和 SRAM尺寸缩小
- 4. 高密度非易失存储尺寸缩小
- 5. 材料，制程、结构变化及新的应用的可靠性
长期
- 1. 先进多栅结构的实现
- 2. 新存储结构的研发与实现
- 3. 新器件、结构和材料的可靠性
- 4. 功耗下降
- 5. 多种功能的集成
ITRS预测，几年后，在使用三维集成之前，前沿芯片公司将放弃现在用于高性能芯片中的晶体管结构：鳍式场效应晶体管FinFET。
在FinFET的架构中，栅门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。据这次的路线图显示，芯片制造商将会放弃FinFET，选择另一种晶体管——具有横向环绕栅极，有与FinFET类似的水平通道，但是被一个向下延伸的栅极包围。
在那之后，晶体管将变为垂直架构，通道将采用支柱的形状，或是纳米线竖立着。
传统硅通道也将被其他材质的通道取代，即硅锗、锗、来自元素周期表第III和V列元素组成的化合物。
这些变化将使得芯片厂商能在同样大的区域装下更多的晶体管，这也就遵守了摩尔定律。
0_2015 ITRS 2.0 Executive Report
1_2015 ITRS 20_System Integration
2_2015 ITRS 2.0 Herogeneous Integration
3_2015 ITRS 2.0_Heterogeneous Components
4_2015 ITRS 2.0_OSC 5_2015 ITRS 2.0_More Moore
7_2015 ITRS 2.0 Factory Integration
199IT.com原创编译自：ITRS 非授权请勿转载
更多阅读：
